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HCE41K256M16MB型4Gb DDR3L SDRAM

HCE41K256M16BN是一款4Gb DDR3L SDRAM,DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3 SDRAM(1.5V)的低压版本,最高数据传输速率可达1866Mbps。

        HCE41K256M16BN是一款4Gb DDR3L SDRAM,DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3 SDRAM(1.5V)的低压版本,最高数据传输速率可达1866Mbps。

◆容量:4Gb,8n-bit预取结构

◆存储结构:256 Meg×16 bit或512 Meg×8 bit

◆向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V

◆8n-bit 预取结构

◆差分时钟输入(CK和CK#),最高时钟频率933MH

◆支持刷新、自刷新和自动刷新模式

◆支持标称ODT和动态ODT(ODT, on-die termination)

◆可编程CAS读延迟(CL, CAS Latency)

◆可编程CAS附加延迟(AL, Additive Latency)

◆可编程CAS写延迟(CWL, CAS Write Latency)

◆固定突发长度(BL, Burst Length):8

◆固定突发终止(BC, Burst Chop):4

◆传输中(OTF, on-the-fly)可选的BC4或BL8

◆HCE41K256M16BN详细规范:Q/RB 50563-2023

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